[发明专利]聚硅氧烷及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200680026131.0 申请日: 2006-07-19
公开(公告)号: CN101248106A 公开(公告)日: 2008-08-20
发明(设计)人: 小川琢哉;今井纮平;大岛义人 申请(专利权)人: 陶氏康宁东丽株式会社;国立大学法人东京大学
主分类号: C08G77/06 分类号: C08G77/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王健
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 制造时的排出物少、简单化的聚硅氧烷的制造方法,其特征在于:在200℃以上的温度、2.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(A)所示的含硅化合物和水的混合物进行水解-缩合反应。R1a(R2O)bSiO[(4-a-b)/2](A);(式中,R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基,R2为碳原子数4以下的一价烃基,a、b为分别满足0≤a≤3、0<b≤4、并且0<a+b≤4的数)。
搜索关键词: 聚硅氧烷 及其 制造 方法
【主权项】:
1.聚硅氧烷的制造方法,其特征在于:在200℃以上的温度、2.5MPa以上的压力条件下使平均组成式(A)所示的含硅化合物和水的混合物进行水解-缩合反应,R1 a(R2O)bSiO[(4-a-b)/2] (A)式中,R1为相同或不同的取代或未取代的一价烃基,R2为碳原子数4以下的一价烃基,a、b为分别满足0≤a≤3、0<b≤4、并且0<a+b≤4的数。
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