[发明专利]包括应变超晶格和上覆应力层的半导体器件以及相关方法无效
| 申请号： | 200680025737.2 | 申请日： | 2006-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN101288174A | 公开（公告）日： | 2008-10-15 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·J·梅尔斯;斯科特·A·柯瑞普斯 | 申请（专利权）人： | 梅尔斯科技公司 |
| 主分类号： | H01L29/15 | 分类号： | H01L29/15;H01L29/10;H01L21/8234;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种半导体器件，可以包括包含多个层叠层组的应变超晶格层(325)，以及位于应变超晶格层上面的应力层。应变超晶格层的每个层组可以包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 应变 晶格 应力 半导体器件 以及 相关 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：包括多个层叠层组的应变超晶格层；以及位于所述应变超晶格层上面的应力层；所述应变超晶格层的每个层组包括限定基础半导体部分的多个层叠基础半导体单层，以及限制在相邻基础半导体部分的晶格内的至少一个非半导体单层。
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