[发明专利]用于控制PCM单元中“首先熔化”区的方法及其获得的器件有效
| 申请号： | 200680017036.4 | 申请日： | 2006-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN101228588A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 迪尔克·武泰;卢多维克·古;朱迪思·利松尼;托马斯·吉勒 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦电子股份有限公司;校际微电子中心 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提出了一种相变材料存储器单元。所述单元包括至少一个已构图的相变材料层，并且其特征在于该已构图的层包括具有不同电阻率的至少两个区域。如果相变材料的电阻率在具有有限尺寸的良好限制区域中(“热点”)比该区域外部的高，那么对于电极之间流过的给定的电流，与其中电阻率较低的相变材料区域相比，在该区域内部将有利地产生更多焦耳热。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 控制 pcm 单元 首先 熔化 方法 及其 获得 器件 | ||
【主权项】：
1.一种相变材料存储器单元，包括至少一个已构图的相变材料层，其特征在于该已构图层包括具有不同电阻率的至少两个区域。
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