[发明专利]形成含氧化硅的薄膜的方法

摘要

一种形成氧化硅薄膜的方法，包括以下步骤：在反应室内提供处理基材；在减压下在50－400℃的基材温度下通过向该反应室中供入惰性气体而吹扫在该反应室内的气体，在相同的温度下和在减压下，通过将气态硅化合物脉冲式引入该反应室而使硅化合物吸附在该处理基材上，在相同的温度下和在减压下，用惰性气体吹扫该反应室中未吸附的硅化合物，在相同的温度下和在减压下，将含臭氧的混合气体的脉冲引入该反应室中并通过与吸附在该处理基材上的硅化合物发生氧化反应而产生氧化硅；和如有必要，重复步骤1)－4)以在该基材上获得所需的厚度。

主权项

1.一种形成含氧化硅的薄膜的方法，其包括以下步骤：a)将基材提供到反应室中，b)将至少一种选自由以下物质组成的组的含硅化合物注入该反应室：-通式(R1R2N)xSiH4-x的氨基硅烷，其中R1和R2是H，C1-C4线性、支化或环状碳链，x为1-4；-以下通式的烷氧基硅烷或乙酰氧基硅烷：Si(OR1)(OR2)(OR3)(OR4)或(OR1)(OR2)(OR3)SiSi(OR4)(OR5)(OR6)或(OR1)(OR2)(OR3)SiRSi(OR4)(OR5)(OR6)或Si(O-C(＝O)-R1)(O-C(＝O)-R2)(O-C(＝O)-R3)(O-C(＝O)-R4)，优选四(乙酰氧基)硅烷Si(O-C(＝O)-Me)4 其中R、R1、R2、R3、R4、R5、R6独立地是H，O，C1-C6线性、支化或环状碳链；-通式(SiH3)nR的硅烷，其中n为1-4，R选自以由H、N、O、CH2、CH2-CH2、SiH2、SiH、Si组成的组；-通式Si(NCO)4的四(异氰酸根合)硅烷；c)将至少一种含氧气体，优选选自臭氧、氧气和/或水分(水)组成的组，注入该反应室，d)在该反应室中在小于400℃的温度下使至少一种含硅化合物和至少一种含臭氧气体反应以获得沉积到该基材上的含氧化硅的薄膜，e)重复步骤b)-d)直到获得所需的薄膜厚度。