[发明专利]曝光方法及曝光装置、以及元件制造方法有效
| 申请号： | 200680013413.7 | 申请日： | 2006-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN101164145A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 白石健一;藤原朋春 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 左一平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种曝光方法，其包括下述步骤：在基板(P)上形成浸渍区域(LR)；经过浸渍区域(LR)内的液体(LQ)，向基板(P)照射曝光用光(EL)来对基板(P)进行曝光；使浸渍区域(LR)的液体(LQ)与基板(P)上的第1区域(S1～S37、101)相接触的接触时间的累计值不超过预定的容许值。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 以及 元件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，其特征在于，包括下述步骤：在基板上形成浸渍区域；经过所述浸渍区域的液体，向所述基板照射曝光用光，对所述基板进行曝光；以及使所述浸渍区域的所述液体与所述基板上的第1区域相接触的接触时间的累计值不超过预定的容许值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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