[发明专利]透明导电膜及其制造方法无效
| 申请号： | 200680012718.6 | 申请日： | 2006-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN101185384A | 公开（公告）日： | 2008-05-21 |
| 发明（设计）人： | 山田耕平;盐见秀数;山田英幸 | 申请（专利权）人： | 精炼株式会社 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;G09F9/00;B32B15/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李贵亮 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种透明导电膜及其制造方法，该透明导电膜维持透明膜的透光性，同时，具有优异的导电性，可以用于电磁波屏蔽，在与其它基底材料贴合时不会引入气泡。该透明导电膜的制造方法包括：在透明膜的两个面或一个面上形成平均高度为0.1μm以下的多个凹凸的工序；在透明膜的有凹凸的面上形成与导电膜的导电部分相反的图案的抗蚀层的工序；在形成了抗蚀层的面上施加镀敷用催化剂的工序；剥离抗蚀层的工序；通过镀敷处理形成金属层的工序；黑化金属层的工序，并且，金属层的宽度W和金属层的高度T之比W/T为1≤W/T≤500。以及，透明导电膜由该制造方法制造。 | ||
| 搜索关键词： | 透明 导电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种透明导电膜的制造方法，其特征在于，包括：在透明膜的两个面或一个面上形成平均高度为0.1μm以下的多个凹凸的工序；在透明膜的有凹凸的面上形成与导电膜的导电部分相反的图案的抗蚀层的工序；在形成了抗蚀层的面上施加镀敷用催化剂的工序；剥离抗蚀层的工序；通过镀敷处理形成金属层的工序；黑化金属层的工序，并且，金属层的宽度W和金属层的高度T之比W/T为1≤W/T≤500。
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