[发明专利]用于半球形晶粒硅和纳米晶粒尺寸多晶硅的单晶片热CVD处理无效
| 申请号： | 200680010818.5 | 申请日： | 2006-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN101467239A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 李明;凯文·坎宁安;石巴·帕纳意尔;邢广财;R·苏亚那拉亚南·耶尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/44 | 分类号： | H01L21/44 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵 飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了用于沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层的方法。在单衬底化学汽相沉积室中沉积半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层。半球形晶粒硅层和纳米晶粒尺寸多晶硅层可以用作半导体期间中的电极层。在一个方面，提供了两步沉积处理来形成具有减小的粗糙度的纳米晶粒尺寸多晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半球形 晶粒 纳米 尺寸 多晶 晶片 cvd 处理 | ||
【主权项】：
1. 一种在衬底上形成半球形晶粒硅层的方法，包括：将含硅前驱体和载气引入单衬底化学汽相沉积室；和使所述含硅前驱体热分解以在所述衬底上沉积半球形晶粒硅层，其中所述衬底支撑在所述室中的衬底支撑上，在沉积期间，所述衬底支撑保持在约670℃和约710℃之间的温度，并且所述室保持在约100Torr和约350Torr之间的压力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
