[发明专利]用于刻蚀工艺的线尺寸控制的方法和系统有效
| 申请号： | 200680010103.X | 申请日： | 2006-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN101361073A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 拉吉夫·M·拉纳德;特里斯塔·Q·马格托托;加里·W·贝姆 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G06F19/00 | 分类号： | G06F19/00;G03F7/36 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 美国纽*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于控制刻蚀特征(150)的尺寸的方法和系统。该方法包括：测量(250)形成在基板(100)上的层(110)顶表面上的构图掩模层(115)的掩模特征(145)以获得掩模特征尺寸值；和计算所述构图掩模层的掩模修整等离子体刻蚀时间，基于所述掩模特征尺寸值、掩模特征尺寸目标值(255)、从发生在用于等离子体刻蚀(275)所述层的所述等离子体刻蚀工具的一个腔或多个腔中的事件起所选的射频功率开通时间(260)总量以及在等离子体刻蚀所述层期间由没受到所述掩模特征保护的所述层中形成的层特征的刻蚀偏差目标。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 刻蚀 工艺 尺寸 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：测量(250)形成在基板(100)上的层(110)顶表面上的构图掩模层(115)的掩模特征(145)以获得掩模特征尺寸值；和计算(265)所述构图掩模层的掩模修整等离子体刻蚀时间，基于所述掩模特征尺寸值、掩模特征尺寸目标值(255)、从发生在用于等离子体刻蚀(275)所述层的所述等离子体刻蚀工具(180)的一个腔或多个腔中的事件起所选的射频功率开通时间(260)总量以及在等离子体刻蚀所述层期间由没受到所述掩模特征保护的所述层形成的层特征的刻蚀偏差目标。
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G06F19-12 ..用于系统生物学的建模或仿真，例如：概率模型或动态模型，遗传基因管理网络，蛋白质交互作用网络或新陈代谢作用网络
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