[发明专利]形成凹进式通路装置的方法有效
| 申请号： | 200680009171.4 | 申请日： | 2006-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN101147257A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 库纳尔·R·帕雷克;苏拉杰·马修;吉吉什·D·特里维迪;约翰·K·扎胡拉克;珊·D·唐 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包含形成凹进式通路装置(180、182、184、186)的方法。提供衬底(102)以在其中具有凹进式通路装置沟渠。一对所述凹进式通路装置沟渠(110)彼此邻近。在所述凹进式通路装置沟渠内形成导电材料(144)，且在所述导电材料附近形成源极/漏极区(170、172、174、176、178、180)。将所述导电材料和源极/漏极区一起并入到一对邻近的凹进式通路装置中。在所述衬底内形成所述凹进式通路装置沟渠之后，在所述邻近的凹进式通路装置之间形成隔离区沟渠(130)，并用电绝缘材料(136)填充以形成沟渠式隔离区。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 凹进 通路 装置 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成与半导体构造相关联的凹进式通路装置的方法，其包括：提供半导体衬底；在所述衬底内形成凹进式通路装置沟渠，一对所述凹进式通路装置沟渠彼此邻近；在所述凹进式通路装置沟渠内形成导电栅极材料；在所述导电栅极材料附近形成源极/漏极区；所述导电栅极材料和源极/漏极区一起形成对应于所述凹进式通路装置的晶体管装置；在所述衬底内形成所述凹进式通路装置沟渠之后，在所述对的所述邻近凹进式通路装置之间形成隔离区沟渠；以及用电绝缘材料填充所述隔离区沟渠以形成沟渠式隔离区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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