[发明专利]高纯硅的制备方法无效
| 申请号： | 200680007442.2 | 申请日： | 2006-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN101137575A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 伊藤信明 | 申请（专利权）人： | 新日铁高新材料 |
| 主分类号： | C01B33/027 | 分类号： | C01B33/027 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 于辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的是提供一种用于太阳能电池的大量低廉且高纯度的硅的制备方法。本发明公开了一种通过转移硅中的杂质至矿渣中而制备高纯硅的方法，其包括如下步骤：进行第一硅的第一矿渣提纯；在完成所述第一矿渣提纯后，从第一硅分离矿渣；在第二硅的第二提纯中，将所分离的矿渣供至第二熔融硅，其中所述第二硅在提纯前的纯度低于所述第一硅在提纯后的纯度。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.高纯硅的制备方法，其通过将硅中的杂质转移至矿渣中而进行，并包括如下步骤：进行第一硅的第一矿渣提纯；在完成所述第一矿渣提纯后，将矿渣与所述第一硅分离；和在第二硅的第二提纯中，将所分离的矿渣供至第二熔融硅，其中，所述第二硅在提纯前的纯度低于所述第一硅在提纯后的纯度。
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