[发明专利]利用连续在线真空沉积工序平坦化导通孔的接触区域的系统及方法有效
| 申请号： | 200680003398.8 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101180714A | 公开（公告）日： | 2008-05-14 |
| 发明（设计）人： | 托马斯·P·布罗迪;约瑟夫·A·马尔卡尼奥 | 申请（专利权）人： | 阿德文泰克全球有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/4763 | 分类号： | H01L21/4763 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾红霞;张天舒 |
| 地址： | 英属维尔京*** | 国省代码： | 维尔京群岛;VG |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种多层式电子器件，包括：绝缘基板(212)；气相沉积的第一导体层(312)，其位于所述绝缘基板(212)上；气相沉积的第一绝缘层(314)，其位于所述第一导体层(312)上，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；以及气相沉积的导电填充剂(320)，其位于所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中。优选的是，所述导电填充剂(320)沉积在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中，使得所述导电填充剂(320)的与所述第一导体层(312)相对的表面相对于所述第一绝缘层(314)的与所述第一导体层(312)相对的表面基本上共面。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 连续 在线 真空 沉积 工序 平坦 化导通孔 接触 区域 系统 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成多层式电子器件的方法，包括：(a)经由第一阴影掩模在绝缘基板(212)上气相沉积第一导体层(312)；(b)经由第二阴影掩模在所述第一导体层(312)上气相沉积第一绝缘层(314)，所述第一绝缘层(314)中具有至少一个过孔(316)；(c)经由第三阴影掩模在所述第一绝缘层(314)的过孔(316)中气相沉积第一导电填充剂(320a)；以及(d)经由第四阴影掩模在所述第一绝缘层(314)上气相沉积第二导体层(318)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿德文泰克全球有限公司，未经阿德文泰克全球有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680003398.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
