[发明专利]氧化镁单晶蒸镀材料及其制造方法无效
| 申请号： | 200680003252.3 | 申请日： | 2006-01-26 |
| 公开（公告）号： | CN101107380A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 东淳生;川口祥史;国重正明 | 申请（专利权）人： | 达泰豪化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/24 | 分类号： | C23C14/24;H01J9/02;H01J11/02 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种单晶MgO蒸镀材料，其作为靶材用于使用以电子束蒸镀法为首的真空蒸镀法在基板上形成MgO膜，其中，该单晶MgO蒸镀材料防止产生喷溅，提高优异的膜特性例如用作PDP用保护膜时的放电特性等而未减小蒸镀时的成膜速度。一种氧化镁(200)面的摇摆曲线的半值宽度为0.005～0.025度的氧化镁单晶蒸镀材料、以及包括破碎氧化镁单晶的工序的氧化镁单晶蒸镀材料制造方法，其中，所述破碎工序包括通过以－5～+5度范围内的角度，使刃状冲击体对氧化镁(100)面方位进行冲击，以将其解理的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镁 单晶蒸镀 材料 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氧化镁单晶蒸镀材料，其特征在于，氧化镁(200)面的摇摆曲线的半值宽度为0.005～0.025度。
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