[发明专利]双极晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200680002444.2 | 申请日： | 2006-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN101142661A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 约翰内斯·J·T·M·唐克斯;韦伯·D·范诺尔特;菲利浦·默尼耶－贝拉德;塞巴斯蒂恩·尼坦克;埃尔温·海曾;弗朗索瓦·纳耶莉 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L29/732;H01L29/737 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种在标准的CMOS浅沟槽隔离区域的沟槽(4、44)中集成的具有降低的集电极串联电阻的双极晶体管。该双极晶体管包括在一个制造步骤中制造的集电极区域(6、34)，因此具有较短的导电路径，降低了集电极串联电阻，改善了双极晶体管的高频性能。双极晶体管还包括基极区域(8、22、38)和发射极区域(10、24、39)，基极区域的第一部分位于沟槽(4、44)底部上的集电极区域(6、34)的选定部分上，发射极区域位于基极区域(8、22、38)的第一部分的选定部分上。基极接触(11、26、51)在绝缘区域(2、42)上的基极区域(8、22、38)的第二部分上与基极区域(8、22、38)电接触。集电极区域(6、34)在突起(5、45)的顶部上与集电极接触(13、25、50)电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 双极晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造双极晶体管的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底(1、41)，半导体衬底具有与沟槽(4、44)相邻的第一绝缘材料的绝缘区域(2、42)，所述沟槽(4、44)与第一半导体材料的突起(5、45)相邻，并包括与绝缘区域(2、42)相邻的第一侧壁、使半导体衬底(1、41)暴露的底部以及与突起(5、45)相邻的第二侧壁；以及在沟槽(4、44)的底部和第二侧壁以及突起(5、45)的顶部表面上形成第二半导体材料的双极晶体管的集电极区域(6、34)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于NXP股份有限公司，未经NXP股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200680002444.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
