[发明专利]曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法有效
| 申请号： | 200680001682.1 | 申请日： | 2006-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN101099224A | 公开（公告）日： | 2008-01-02 |
| 发明（设计）人： | 白石健一;星加隆一;藤原朋春 | 申请（专利权）人： | 株式会社尼康 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供曝光方法和曝光装置、以及器件制造方法。其中，浸液装置(132)具有混入机构，该混入机构在向配置于投影光学系统(PL)的光射出侧的物体(部件)表面的疏液膜上供应的液体中，混入并溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质；并且，将溶解有该规定物质的液体(Lq)供应到疏液膜上来形成浸液区域。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 方法 装置 以及 器件 制造 | ||
【主权项】：
1.一种曝光方法，借助液体对物体进行曝光，其特征在于，包括：在液体中溶解对该液体的电阻率进行调整的规定物质，并将该溶解有规定物质的液体供应到在上述物体上形成的膜上并形成浸液区域的工序；借助上述液体将曝光用光照射在上述物体上并进行曝光，而形成规定图案的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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