[发明专利]等离子体处理装置

摘要

一种等离子体处理装置，被指示基板(1)的尺寸时，读出根据高密度等离子体区域的直径尺寸Dp和高密度等离子体区域的中心与等离子体扩散区域下部之间的高度H的关系的可均匀溅击蚀刻范围的图；根据内压以及来自天线(116)的电磁波频率，求出高密度等离子体区域的中心与真空反应室(111)内部上面之间的高度Hp以及上述Dp的值；根据内压以及基板(1)的自给偏压电位大小，求出等离子体扩散区域的下部与支承台(113)上面之间的高度Hs；根据上述Dp、上述Hp、上述Hs的值，从上述图中求出可成为均匀溅击蚀刻范围的前述H值之后，控制升降装置(121)，以便达到上述H值。

主权项

1.一种等离子体处理装置，具有：真空反应室，其形成为圆筒状；排气机构，其与上述真空反应室相连结；支承台，其设置于上述真空反应室内以支承基板；主供应喷嘴，其设置于上述真空反应室内比上述支承台靠近上方位置，前端朝向该真空反应室的轴心部分，输送主原料气体；副供应喷嘴，其设置于上述真空反应室内比上述支承台靠近上方位置，前端朝向该真空反应室的轴心部分，输送副原料气体与稀有气体；高频天线，其以与该真空反应室形成同轴的方式设置于上述真空反应室的上部，且形成环状；天线用供电机构，其连接于上述高频天线，从该高频天线输出电磁波；偏压电极板，其设置于上述支承台内；及高频偏压供电机构，其连接于上述偏压电极板，使上述基板产生自给偏压电位，其特征在于：具有：升降机构，其用以升降上述支承台；及控制机构，在被指示载置于上述支承台的上述基板尺寸时，读出均匀溅击蚀刻图，该均匀溅击蚀刻图是对应于上述基板尺寸而存储的，显示根据沿着上述高频天线所产生的环状高密度等离子体区域的外径与内径之间的中心直径尺寸Dp与该高密度等离子体区域的该中心与上述真空反应室的等离子体扩散区域下部之间的高度H的关系的可均匀溅击蚀刻范围，与此同时，根据上述真空反应室的内压以及由上述高频天线所产生的电磁波频率，求出上述高密度等离子体区域的上述中心与上述真空反应室内部上面之间的高度Hp，并求出上述Dp的值，另一方面根据上述真空反应室的内压以及使上述基板产生的自给偏压电位大小，求出上述等离子体扩散区域的下部与上述支承台上面之间的高度Hs之后，根据上述Dp、上述Hp、上述Hs的值，从读出的上述图中求出成为可均匀溅击蚀刻范围的上述H值，控制上述升降机构而使上述支承台升降，以便达到上述H值。