[实用新型]绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置无效
申请号: | 200620153410.0 | 申请日: | 2006-12-01 |
公开(公告)号: | CN200996044Y | 公开(公告)日: | 2007-12-26 |
发明(设计)人: | 刘东平;古建中;冯志庆 | 申请(专利权)人: | 大连民族学院光电子技术研究所 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/513;C03C17/245 |
代理公司: | 大连科技专利代理有限责任公司 | 代理人: | 于忠晶 |
地址: | 116600辽宁省大*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置,绝缘介质为隔断的两个对称的真空室上均装有排气口,真空室内分别装有高压电极和地电极,绝缘介质置于高压电极和地电极之间,且与高压电板面接触,与地电极之间留有间隙,装有高压电极的真空室上的排气口上装有截止阀,装有地电极的真空室上开有入气孔。本实用新型利用介质阻挡放电等离子体沉积薄膜,具有其独特的优势:如放电方式简单,设备成本低;放电室气体间隙小(通常几毫米),气体体积小,气体流量低;能耗低等。本实用新型特别是适用于玻璃、聚酯、石英介质,可在这些介质上进行薄膜沉积。 | ||
搜索关键词: | 绝缘 介质 表面 金刚石 薄膜 沉积 装置 | ||
【主权项】:
1、绝缘介质表面类金刚石薄膜的沉积装置,其特征是:绝缘介质(1)为隔断的两个对称的真空室(6)上均装有排气口(7),真空室内分别装有高压电极(2)和地电极(3),绝缘介质置于高压电极和地电极之间,且与高压电板面接触,与地电极之间留有间隙,装有高压电极的真空室上的排气口上装有截止阀(7),装有地电极的真空室上开有入气孔(9)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连民族学院光电子技术研究所,未经大连民族学院光电子技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200620153410.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:人体特征指纹采集识别仪
- 下一篇:一种多极稀土永磁同步电动机转子结构
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的