[实用新型]适合于蚀刻高纵横比结构的衬底支座无效
| 申请号： | 200620132701.1 | 申请日： | 2006-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN201054347Y | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | S·帕马希;H·道;X·周;K·A·麦克唐纳;J·迪内夫;F·阿布阿马里;D·E·居蒂耶雷;J·Z·何;R·S·克拉克;D·M·科绍;J·W·迪茨;D·斯坎伦;S·德斯姆科;A·帕藤森;J·P·霍兰 | 申请（专利权）人： | 应用材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵蓉民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型的实施方式提供一种装置，诸如处理室，其适合于蚀刻高纵横比结构。其它的实施方式包括在处理室中使用的衬底支座。在一个实施方式中，衬底支座包括静电卡盘，该静电卡盘包括具有由上壁、中壁和下壁限定外径的主体。中壁的高度小于下壁的高度且大于上壁的高度。卡盘也包括嵌入其中的箝位电极。在另一个实施方式中，适合用于半导体处理室中的衬底支座包括静电卡盘、基座和连接到基座且部分地延伸进入静电卡盘主体的升降销导引组件。 | ||
| 搜索关键词： | 适合于 蚀刻 纵横 结构 衬底 支座 | ||
【主权项】：
1.一种适合用于半导体处理室中的衬底支座，其特征在于，该衬底支座包括：静电卡盘，该静电卡盘包括：具有由上壁、中壁和下壁限定的外部直径的主体，其中所述中壁的高度小于所述下壁的高度且大于所述上壁的高度；以及嵌入所述主体中的箝位电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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