[实用新型]适合于蚀刻高纵横比结构的衬底支座

权利要求书

1.一种适合用于半导体处理室中的衬底支座，其特征在于，该衬底支座包括：

静电卡盘，该静电卡盘包括：

具有由上壁、中壁和下壁限定的外部直径的主体，其中所述中壁的高度小于所述下壁的高度且大于所述上壁的高度；以及

嵌入所述主体中的箝位电极。

2.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，该主体进一步包括陶瓷。

3.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

在所述上壁和所述中壁之间限定的上凸缘；和

在所述中壁和所述下壁之间限定的下凸缘。

4.根据权利要求3所述的衬底支座，其特征在于，所述上凸缘比所述下凸缘短。

5.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

设置在所述主体中的电阻式加热器。

6.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

设置在所述主体中的至少一个温度传感器。

7.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

设置在所述主体中的第一温度传感器，以及

第二温度传感器，其设置在在所述主体中，在所述第一传感器的径向向内侧。

8.根据权利要求1所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

基座；以及

连接到所述基座且部分地延伸进入所述主体的升降销导引组件。

9.根据权利要求8所述的衬底支座，其特征在于，所述基座进一步包括：

在所述基座中形成的至少两个隔离的冷却管道，所述管道中适合流动传热流体。

10.根据权利要求9所述的衬底支座，其特征在于，所述基座进一步包括：

嵌入在所述基座中的热隔离体，其在每个隔离的冷却管道之间。

11.根据权利要求8所述的衬底支座，其特征在于，升降销导引组件进一步包括：

导引装置，其具有与所述主体的下表面中的凹槽啮合的上凸起和下凸起；以及

保持装置，其连接到所述基座，且具有围绕所述下凸起的至少一部分延伸的套筒。

12.根据权利要求11所述的衬底支座，其特征在于，所述升降销导引组件进一步包括：

夹在所述导引装置和所述保持装置之间的弹性元件。

13.一种适合用于半导体处理室中的衬底支座，其特征在于，该衬底支座包括：

静电卡盘，该静电卡盘包括：

具有在阶梯状外壁上限定的具有上凸缘和下凸缘的陶瓷主体，所述上凸缘比所述下凸缘短；以及

嵌入所述主体中的箝位电极；

基座；以及

连接到所述基座且部分地延伸入所述主体的升降销导引组件。

14.根据权利要求13所述的衬底支座，其特征在于，所述阶梯状外壁进一步包括：

上壁；

中壁；以及

下壁。

15.根据权利要求14所述的衬底支座，其特征在于，所述中壁的高度比所述下壁的高度小且比所述上壁的高度大。

16.根据权利要求15所述的衬底支座，其特征在于，进一步包括：

设置在所述主体中的电阻式加热器；

设置在所述主体中的第一温度传感器；以及

设置在所述主体中的第二温度传感器，所述第二温度传感器设置在所述第一温度传感器的径向向内侧。

17.根据权利要求13所述的衬底支座，其特征在于，所述基座进一步包括：

在其中形成的至少两个隔离的冷却管道，所述冷却管道中适合流动传热流体。

18.根据权利要求17所述的衬底支座，其特征在于，所述基座进一步包括：

嵌入在所述基座中的热隔离体，其在每个隔离的冷却管道之间。