[实用新型]用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构无效

专利信息
申请号: 200620075673.4 申请日: 2006-08-25
公开(公告)号: CN200981899Y 公开(公告)日: 2007-11-28
发明(设计)人: 俞鹤庆;俞瑾 申请(专利权)人: 俞鹤庆;俞瑾
主分类号: C30B15/24 分类号: C30B15/24;C30B29/20
代理公司: 无锡盛阳专利事务所 代理人: 顾吉云
地址: 214000江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型为用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构。其内部的温差较小,单晶氧化铝瓷结晶时成品率高,成本较低,适合工业化批量生产。其包括坩埚,所述坩埚通过托柄安装于加热器内,所述加热器安装于电极板,所述加热器外设置有保温屏,所述坩埚内设置有结晶器,所述结晶器结晶台面的上方设置有籽晶,所述籽晶通过连接结构与籽晶轴接套连接,其特征在于:所述的坩埚为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形,所述的结晶器沿坩埚的长度方向的中心线依次布置,所述加热器为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形。
搜索关键词: 用以 生长 成型 氧化铝 结构
【主权项】:
权利要求书1、用以生长成型单晶氧化铝瓷的导模结构,其包括坩埚,所述坩埚通过托柄安装于加热器内,所述加热器安装于电极板,所述加热器外设置有保温屏,所述坩埚内设置有结晶器,所述结晶器结晶台面的上方设置有籽晶,所述籽晶通过连接结构与籽晶轴接套连接,其特征在于:所述的坩埚为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形,所述的结晶器沿坩埚的长度方向的中心线依次布置,所述加热器为长方体形或两端部为圆弧形状的长方条形。
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