[实用新型]发光二极管无效
申请号: | 200620055529.4 | 申请日: | 2006-03-01 |
公开(公告)号: | CN2906934Y | 公开(公告)日: | 2007-05-30 |
发明(设计)人: | 彭少鹏 | 申请(专利权)人: | 东莞市福地电子材料有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 东莞市中正知识产权事务所 | 代理人: | 张永忠 |
地址: | 523082广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型属于半导体光电子技术领域,特别是指一种发光二极管。发光二极管,包括发光主体(1)上的P型接触层(2),所述P型接触层(2)上设有呈矩阵排列的正方形绝缘层块(4),绝缘层块(4)的外面和其间的P型接触层(2)上覆盖可作为导电玻璃质P型接触电极(3)。本实用新型P型接触电极(3)在P型接触层(2)上成网状分布,在电压和总电流大小不变的情况下,提高P型接触层上局部的电流密度,这样就可满足提高出光率的需要,从而提高整个发光二极管的出光率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管,包括发光主体(1)上的P型接触层(2),所述P型接触层(2)上设有P型接触电极(3),其特征在于:所述P型接触电极(3)在P型接触层(2)上呈网状分布。
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