[发明专利]应用磁畴壁移动的半导体器件无效
| 申请号： | 200610171218.9 | 申请日： | 2006-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN101106170A | 公开（公告）日： | 2008-01-16 |
| 发明（设计）人： | 林志庆;金恩植;李成喆 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/10 | 分类号： | H01L43/10;H01L27/22;G11C11/14;G11C19/02;H01F10/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种应用磁畴壁移动的半导体器件。该半导体器件包括内部磁畴壁移动的磁性物质膜，其中该磁性物质膜具有0.015到0.1的阻尼常数。 | ||
| 搜索关键词： | 应用 磁畴壁 移动 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其包括内部磁畴壁移动的磁性物质膜，其中该磁性物质膜具有0.015到0.1的阻尼常数。
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