[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200610169485.2 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN1971886A 公开(公告)日: 2007-05-30
发明(设计)人: 潘智瑞;余良彬;王涌锋 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: H01L21/84 分类号: H01L21/84;H01L21/768;H01L27/12;H01L23/522;G02F1/1362
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 任默闻
地址: 台湾省*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 发明提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法,所述薄膜晶体管阵列基板包括基板、图案化第一金属层、图案化半导体层、图案化透明导电层、图案化绝缘层及图案化第二金属层。其中,薄膜晶体管的各构件直立排列,因此具有高导通电流。另一方面,由共享配线与第二金属层包夹透明电极或是由共享配线与透明电极包夹第二金属层来增加储存电容值能,以减少因信号互相耦合所造成的像素闪动,进而提升画面品质。此外,本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造方法,会在半导体层上下两侧分别形成欧姆接触层,以避免产生短信道效应。
搜索关键词: 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,该方法包括以下步骤:提供一基板;在该基板上形成一图案化第一金属层,以定义出多条共享配线、多条扫描配线及多条源极图案,其中所述扫描配线与所述源极图案在该基板上定义出多个像素区域,所述共享配线分别通过所对应的该像素区域且平行于该扫描配线,而每一源极图案邻近于所对应的所述扫描配线的位置上分别延伸一凸出部至所对应的所述像素区域内,以分别作为一源极;在该基板上形成一图案化半导体层,以分别在每一像素区域内的该源极上定义出一第一半导体图案以及在每一像素区域内的该共享配线上定义出一第二半导体图案,且该第二半导体图案具有暴露出该共享配线的一第一开口在该基板上形成一图案化透明导电层,以在每一像素区域内定义出一像素电极,其中每一像素电极覆盖所对应的该第一半导体图案及该第二半导体图案,且每一像素电极具有对应于该第一开口的一第二开口;在该基板上形成一图案化绝缘层,以在每一共享配线上方定义出一第一绝缘图案,并且在每一源极图案的延伸方向与所对应的该扫描配线的相交处定义出一第二绝缘图案,每一第一绝缘图案具有对应于该第二开口的一第三开口,且每一第二绝缘图案延伸覆盖所对应的该源极以及该源极上方的该第一半导体图案与该像素电极;以及在该基板上形成一图案化第二金属层,以定义出多条数据配线、多个栅极及多个金属电极,其中每一数据配线分别沿着所对应的该源极图案的延伸方向而配置于该源极图案上,每一栅极分别配置于所对应的该源极上方的该第二绝缘图案上,并延伸连接该扫描配线,每一金属电极配置于所对应的该像素区域内的该第一绝缘图案上,并经由该第三开口、该第二开口及该第一开口电性连接至所对应的该共享配线。
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