[发明专利]显示基板及其制造方法和具有该显示基板的显示装置有效
| 申请号： | 200610168816.0 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101071239A | 公开（公告）日： | 2007-11-14 |
| 发明（设计）人： | 上本勉 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;G02F1/133;H01L21/027;G03F7/16;G03F7/20;G03F7/26;G09F9/35 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种显示基板，包括多个像素。所述像素中的每一个包括开关元件、存储电容器、存储线以及像素电极。所述开关元件包括：多晶硅层，所述多晶硅层具有沟道部分和掺杂部分；栅电极；源电极和漏电极。所述栅电极形成在所述沟道部分上，并具有下层和上层。所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触。所述存储电容器包括：第一存储电极，所述第一存储电极由基本上与所述多晶硅层相同的层形成；和第二存储电极，所述第二存储电极由基本上与所述栅电极的下层相同的层形成。 | ||
| 搜索关键词： | 显示 及其 制造 方法 具有 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种显示基板，包括：多个开关元件，所述开关元件中的每一个包括：多晶硅层，所述多晶硅层具有沟道部分和掺杂部分；栅电极，所述栅电极形成在所述沟道部分上，并包括下层和上层；源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极与所述掺杂部分接触；多个存储电容器，所述存储电容器中的每一个包括：第一存储电极，所述第一存储电极由基本上与所述多晶硅层相同的层形成；和第二存储电极，所述第二存储电极由基本上与所述栅电极的下层相同的层形成；以及多个像素电极，所述像素电极中的每一个电连接至所述开关元件中的每一个。
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