[发明专利]一种改进表面平坦度的方法无效
申请号: | 200610166719.8 | 申请日: | 2002-12-18 |
公开(公告)号: | CN101127363A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | D·L·亚特斯;J·A·德鲁斯 | 申请(专利权)人: | 微米技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/22 | 分类号: | H01L27/22;G11C11/15 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 梁永 |
地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明提供了一种制造存储单元的一部分的方法,该方法包含在绝缘层中配备的管沟中提供第一导体,并平面化该绝缘层和该第一导体的上表面,在该绝缘层和该第一导体的平面化的上表面上形成材料层,并平面化该材料层的上面部分,而剩下该绝缘层和所述第一导体上的材料层的下面部分不处理。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 表面 平坦 方法 | ||
【主权项】:
1.一种磁性随机存取存储器结构,包含:一个绝缘层,其中形成有多个管沟;在多个管沟的每个管沟中的势垒层;在每个管沟中的势垒层上形成的多个纵向延伸的导线,所述势垒层和所述导线具有上表面;在所述势垒层和所述导线的上表面上形成的平面化的导电材料;在所述导电材料上形成的相应的第一磁性层;在所述第一磁性层上的相应的第二磁性层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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