[发明专利]一种氮化镓基Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体器件的电极有效
| 申请号： | 200610166563.3 | 申请日： | 2006-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN101000942A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 张建宝;徐韬 | 申请（专利权）人： | 武汉华灿光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L23/48 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 | 代理人： | 朱必武;周瑾 |
| 地址： | 430223湖北省武汉市东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种氮化镓基III－V族化合物半导体器件的电极，包括n电极6和p电极7，n电极6位于氮化镓基III－V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓(n－GaN)层2上，p电极7分别位于氮化镓基III－V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(p－GaN)4和透明电极5上，n电极6由欧姆接触层6A、阻挡层6B和金属压焊层6C三层构成，p电极7由粘附导电层7A、阻挡层7B和金属压焊层7C三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层6A和粘附导电层7A均为铬Cr，金属压焊层6C和7C均为金属铝Al。可以降低生产成本、简化生产工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 化合物 半导体器件 电极 | ||
【主权项】：
1、一种氮化镓基III-V族化合物半导体器件的电极，包括n电极(6)和p电极(7)，n电极(6)位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的n型氮化镓层(2)上，p电极7分别位于氮化镓基III-V族化合物半导体器件外延片的p型氮化镓(4)和透明电极(5)上，n电极(6)由欧姆接触层(6A)、阻挡层(6B)和金属压焊层(6C)三层构成，p电极(7)由粘附导电层(7A)、阻挡层(7B)和金属压焊层(7C)三层构成，其特征在于：所述欧姆接触层(6A)和粘附导电层(7A)均为铬，金属压焊层(6C)和(7C)均为金属铝Al。
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