[发明专利]一种多晶硅刻蚀的方法有效
| 申请号： | 200610165336.9 | 申请日： | 2006-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101207033A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 邢涛 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23F4/00 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅刻蚀的方法，用于在多晶硅片上刻蚀线条，包括多晶硅层主刻步骤，在多晶硅层主刻步骤中，下射频电源RF的功率按正弦周期变化，变化的周期最好为2s，主刻步骤的开始时，所述的下射频电源RF的功率为正弦周期变化的最大值。随着下RF功率的周期性变化，刻蚀产生的聚合物的保护层的厚度不断的变化，既能有效的防止各向同性刻蚀剖面的产生、又不影响刻蚀速率、还能有效防止形成锥形刻蚀剖面，最终形成了较为陡直的剖面，完成多晶硅层的主刻蚀步骤。主要适用于对多晶硅片进行刻蚀，也适用于对其它类似的硅片进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅刻蚀的方法，用于在多晶硅片上刻蚀线条，包括多晶硅层主刻步骤，其特征在于，所述多晶硅层主刻步骤中，下射频电源RF的功率按正弦周期变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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