[发明专利]具有深槽电荷补偿区的半导体器件及方法无效
| 申请号： | 200610163070.4 | 申请日： | 2006-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101165863A | 公开（公告）日： | 2008-04-23 |
| 发明（设计）人： | 加里·H·莱厄切尔特;彼德·J·兹德贝尔;小约翰·M·帕尔赛;戈登·M·格里芙娜 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一个实施方案中，半导体器件形成在半导体材料体中。该半导体器件包括电荷补偿槽，该电荷补偿槽形成在该器件附近的有源部分。电荷补偿槽包括被填以相反导电类型的层的各种半导体层的槽。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电荷 补偿 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法， 包括如下步骤：提供具有第一和第二相对主表面的半导体材料体；在所述半导体材料体中形成槽；形成与槽的表面相连的具有第一导电类型的第一半导体层；形成邻近第一半导体层的具有第二导电类型的第二半导体层，从而形成电荷补偿槽区；在半导体材料体中邻近电荷补偿槽区形成第一掺杂区，其中所述第一掺杂区具有第二导电类型；在所述第一掺杂区中形成第二掺杂区，并具有第一导电类型；形成覆盖第二半导体层的钝化层；以及形成邻近所述第一和第二掺杂区的控制电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
