[发明专利]从衬底去除硅的碳氧化物无效
| 申请号： | 200610162381.9 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101026096A | 公开（公告）日： | 2007-08-29 |
| 发明（设计）人： | 克里什纳·维帕;雅什拉·布特那格尔;罗纳德·拉亚达亚;文卡塔·巴拉伽纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 赵飞 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于处理衬底的方法，包括在衬底上沉积硅的碳氧化物和从衬底去除硅的碳氧化物。衬底上的硅的碳氧化物通过暴露于激发的含氧气体而被脱碳，所述激发的含氧气体加热衬底并且将硅的碳氧化物层转化为氧化硅层。氧化硅通过暴露于含氟工艺气体的等离子体而被去除。或者，残留的氧化硅可以通过含氟酸性浴去除。在另一个方案中，含氟气体和含氧气体的等离子体被激发来从衬底去除硅的碳氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 去除 氧化物 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理包括硅的碳氧化物的衬底的方法，包括：(a)通过将所述衬底暴露于含氧气体同时将所述衬底加热到小于或者等于约400℃的温度，来将所述硅的碳氧化物脱碳，由此将所述硅的碳氧化物转化为氧化硅；以及(b)通过如下操作中的至少之一去除所述衬底上的所述氧化硅：(i)将所述氧化硅暴露于含氟酸性溶液；或者(ii)通过将所述衬底暴露于包括含氟气体的工艺气体的等离子体，去除基本整个厚度的所述氧化硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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