[发明专利]用于单次可程序化内存的无二极管的阵列

摘要

本发明一种单次可程序化内存阵列，其包含在第一行方向中延伸且安置于第一高度的第一行导体、在第二行方向中延伸且安置于第二高度的第二行导体和在列方向中延伸且安置成邻近于所述第一行导体并邻近于所述第二行导体的列导体。所述阵列也包含覆盖所述列导体的至少一部分的介电层、耦接在所述列导体上的所述介电层与所述第二行导体之间的熔丝链。

主权项

1.一种单次可程序化内存阵列，其特征在于包括：在一第一行方向中延伸且安置于一第一高度的一第一行导体；在一第二行方向中延伸且安置于一第二高度的一第二行导体；在一列方向中延伸且安置成邻近于所述第一行导体并邻近于所述第二行导体的一列导体，所述列方向不同于所述第一和第二行方向；覆盖所述列导体的至少一部分的一介电层；以及耦接在所述列导体上的所述介电层与所述第二行导体之间的一熔丝链。