[发明专利]薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法有效
| 申请号： | 200610156920.8 | 申请日： | 2006-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101192527A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 颜硕廷 | 申请（专利权）人： | 群康科技（深圳）有限公司;群创光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管制造方法及其栅极制造方法，该薄膜晶体管制造方法包括以下步骤：提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两层光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余的光致抗蚀剂层的宽度自上而下递减；依序沉积多层金属层在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增；沉积一栅极绝缘层；形成一半导体层；形成一源极和一漏极；沉积一钝化层并形成一连接孔。该薄膜晶体管制造方法可以减少在栅极与栅极绝缘层间产生孔洞，提高制造薄膜晶体管的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 及其 栅极 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管栅极制造方法，其特征在于：包括以下步骤：提供一绝缘基板，在该绝缘基板的表面依序形成显影速率自上而下渐增的至少两光致抗蚀剂层；曝光并显影该光致抗蚀剂层，剩余光致抗蚀剂层宽度自上而下递减；依序在光致抗蚀剂层和没有被光致抗蚀剂层覆盖的绝缘基板表面沉积多层金属层；移除该光致抗蚀剂层和该光致抗蚀剂层上的多层金属层，剩余的多层金属层即为薄膜晶体管的栅极，其宽度自上而下递增。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
