[发明专利]外延涂覆的硅晶片以及制造外延涂覆的硅晶片的方法有效
| 申请号： | 200610154351.3 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1936110A | 公开（公告）日： | 2007-03-28 |
| 发明（设计）人： | 赖因哈德·绍尔;诺贝特·维尔纳 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及用于制造外延涂覆的硅晶片的方法，其中提供许多至少在正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中于氢气氛内在第一氢气流量下实施预处理，以及在第二步骤中在将蚀刻介质加入氢气氛的情况下在减少的第二氢气流量下实施预处理，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器取出，此外在实施外延涂覆一定次数之后，对该基座实施蚀刻处理。本发明还涉及硅晶片，其包括一个正面及一个背面，其中至少其正面经过抛光且至少正面上涂覆有外延层，基于2毫米的边缘去除部分，其总体平直度值GBIR为0.07至0.3微米。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 晶片 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、用于制造外延涂覆的硅晶片的方法，其中提供许多至少在正面上经过抛光的硅晶片，并随后在外延反应器内均单独进行涂覆，这是通过以下步骤实施的，将所提供的硅晶片均放置在外延反应器内的基座上，在第一步骤中于氢气氛内在第一氢气流量下实施预处理，以及在第二步骤中在将蚀刻介质加入氢气氛的情况下在减少的第二氢气流量下实施预处理，随后在其经抛光的正面上实施外延涂覆，并从外延反应器取出，此外在实施外延涂覆一定次数之后，对该基座实施蚀刻处理。
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