[发明专利]位线选择晶体管布局结构有效
| 申请号： | 200610154340.5 | 申请日： | 2006-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN101005073A | 公开（公告）日： | 2007-07-25 |
| 发明（设计）人： | 杨姈桂;刘振钦;黄兰婷;吴栢瑄 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105;H01L21/8239 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种位线晶体管其包括，不同的沟道长度，沟道宽度，或两者兼具以补偿位线负载效应。该晶体管结构的沟道长度或沟道宽度可以被配置为实现理想的负载。因此，该位线晶体管结构可以改善整体金属位线负载的一致性以及提供位线偏压更好的一致性。此外，位线偏压更好的一致性可以改善可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 选择 晶体管 布局 结构 | ||
【主权项】：
1、一种存储器元件，其包括：位线；第一晶体管连接至该位线，该第一晶体管包括沟道；以及第二晶体管连接至该位线，该第二晶体管包括沟道，该沟道的尺寸不同于该第一晶体管沟道的尺寸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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