[发明专利]用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法有效
| 申请号： | 200610152852.8 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1967780A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 蔡太程;考利·萨尼克;克里斯多佛·肖恩·奥尔森;卡勒德·Z·艾哈迈德;菲利普·艾伦·克劳兹 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/3105;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这里公开了一种用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法。在一个实施例中，该方法包括以下步骤：去除天然氧化物层，形成氧化物层，在氧化物层上形成栅极电介质层，氧化栅极电介质层，以及对各层和下方的热氧化物/硅界面退火。可选地，可以在形成栅极电介质层之前对氧化物层进行氮化。可选地，可以在氧化栅极电介质层之前对栅极电介质层进行氮化。在一个实施例中，该方法的至少一部分是利用安排在组合工具上的处理反应器执行的。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制作 场效应 晶体管 栅极 电介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于制作场效应晶体管的栅极电介质的方法，包括：(a)提供硅衬底；(b)从所述硅衬底去除天然氧化物层；(c)在所述硅衬底上形成氧化物层；(d)在所述氧化物层上形成栅极电介质层；(e)利用含氧等离子体氧化所述栅极电介质层的至少一部分；以及(f)对所述栅极电介质层、所述热氧化物层以及所述氧化物层和所述硅衬底之间的界面进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
