[发明专利]非易失性存储器件及其写入方法有效
| 申请号： | 200610152835.4 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1975930A | 公开（公告）日： | 2007-06-06 |
| 发明（设计）人： | 小田大辅 | 申请（专利权）人： | 冲电气工业株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/04 | 分类号： | G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 雒运朴;徐谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够防止存储单元的误写入的非易失性存储器件及其写入方法。非易失性存储器的存储单元阵列电路(12)利用以2分割进行漏极选择的漏极选择器(102、104)对被配置在字线和位线上的存储单元(100)的漏极进行4分割地选择，在进行向存储单元(100)的写入时，选择4个漏极中的1个施加电压(CDV)，以此来减小在非选择的存储单元(100)的漏极－源极之间产生的电位差，从而可防止对非选择的存储单元(100)的误写入的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
1.一种可电写入数据并存储的非易失性存储器件，其特征在于，该器件具有存储单元阵列电路，该存储单元阵列电路具有：多个存储单元行，其中，形成存储单元的多个存储单元晶体管的源极和漏极串联连接而形成存储行；多条字线，分别与该多个存储单元行的各行的上述存储单元晶体管的栅极连接；多条位线，在与上述存储单元行大致正交的方向，连接了上述多个存储单元行的上述存储单元晶体管的连接点；第1漏极选择器，以第1间隔与上述多条位线中的上述位线连接，选择上述存储单元晶体管的漏极；第2漏极选择器，错开1/2上述第1间隔的量与上述多条位线中的上述位线连接，选择上述存储单元晶体管的漏极；以及源极选择器，与连接了上述第1和第2漏极选择器的位线之间的上述位线连接，选择上述存储单元晶体管的源极；上述第1和第2漏极选择器分别具有多个将要选择的上述漏极分割为多个来进行选择的晶体管。
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