[发明专利]具有包括氧化锆的叠层介电结构的快闪存储器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200610152832.0 | 申请日： | 2006-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN101064349A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李升龙;周文植 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/51;H01L27/115;H01L21/336;H01L21/28;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨生平;杨红梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种置于快闪存储器件的浮动栅极和控制栅极之间的介电结构，包括：第一介电层；具有基本与第一介电层相同的介电常数k的第三介电层；和位于第一介电层和第三介电层之间的第二介电层，第二介电层具有大于第一和第三介电层的介电常数k并且通过交替和重复堆叠多个氧化铝(Al2O3)层和多个氧化锆(ZrO2)层而形成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 包括 氧化锆 叠层介电 结构 闪存 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包含：提供在衬底上的浮动栅极；提供在浮动栅极上的控制栅极；和提供在浮动栅极和控制栅极之间的介电结构，所述介电结构包括：第一介电层；第二介电层，其形成在第一介电层上并且具有大于第一介电层的介电常数k，所述第二介电层包括多个氧化铝(Al2O3)层和多个氧化锆(ZrO2)层；和形成在第二介电层上的第三介电层。
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