[发明专利]制造半导体器件的沟槽隔离的方法有效
| 申请号： | 200610151568.9 | 申请日： | 2006-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1913123A | 公开（公告）日： | 2007-02-14 |
| 发明（设计）人： | 申东石;郑镛国 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明的制造半导体器件的沟槽隔离结构的方法中，在不产生缺陷情况下获得极好的间隙填充属性。在一方面，该方法包括：加载其中形成沟槽的衬底到高密度等离子体(HDP)化学气相沉积装置内；第一次加热衬底；施加第一偏置功率到装置以在沟槽的侧壁和底表面上形成HDP氧化衬里，在HDP氧化衬里形成后在沟槽内仍有一个间隙；去除第一偏置功率的施加并第二次加热衬底；施加比第一偏置功率大的功率水平的第二偏置功率到衬底以形成HDP氧化膜来填充沟槽内的间隙；从装置上卸载衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 沟槽 隔离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的沟槽隔离结构的方法，包括：将其中形成沟槽的衬底加载到高密度等离子体化学气相沉积装置内；第一次加热所述衬底；施加第一偏置功率到所述装置以在所述沟槽的侧壁和底表面上形成高密度等离子体氧化衬里，在所述高密度等离子体氧化衬里形成之后在所述沟槽内仍存在间隙；去除所述第一偏置功率的施加，并第二次加热所述衬底；施加具有比所述第一偏置功率大的功率水平的第二偏置功率到所述衬底以形成高密度等离子体氧化膜来填充所述沟槽内的间隙；从所述装置上卸载所述衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610151568.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
