[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法和具有该薄膜晶体管的显示基板有效
| 申请号： | 200610149878.7 | 申请日： | 2006-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN101075642A | 公开（公告）日： | 2007-11-21 |
| 发明（设计）人： | 李洪九;郑湘勳 | 申请（专利权）人： | LG.菲利浦LCD株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;祁建国 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管包括：设置在衬底上的半导体图案和具有导电或绝缘特征的半导体图案部分，和在半导体图案部分一侧用于防止金属离子沿半导体图案部分扩散的防扩散部分。第一绝缘层覆盖半导体图案且具有暴露半导体图案部分第一区域的第一接触孔和暴露半导体图案部分第二区域的第二接触孔。栅极设置在第一绝缘层。第二绝缘层覆盖栅极并具有暴露第一区域的第三接触孔和暴露第二区域的第四接触孔。源极形成在第二绝缘层上并连接到第一区域，以及漏极形成在第二绝缘层上并连接第二区域。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 具有 显示 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：半导体图案，包括源极区域、漏极区域、沟道区域和防扩散部分；第一绝缘层，叠在所述半导体图案上；栅极，叠在所述半导体图案上；第二绝缘层，叠在所述栅极上；和源极和漏极，叠在所述第二绝缘层上并分别连接到所述源极区域和所述漏极区域，其中所述防扩散部分用于减少自所述源极或所述漏极到所述沟道区域的金属物的扩散。
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