[发明专利]快闪存储器件的制造方法

摘要

一种制造快闪存储器件的方法。在产生过量聚合物的条件下利用干蚀刻过程来实施用于控制隔离层的有效场高度的蚀刻过程，由此在浮动栅极图案的侧壁上形成第一间隔物。当控制栅极和浮动栅极随后形成时所暴露区域的隔离层被蚀刻时，第一间隔物用作蚀刻阻挡层，以便在半导体衬底的有源区的侧壁上形成第二间隔物。因此，可以防止半导体衬底侧壁的暴露和损伤并改善器件的可靠性。

主权项

1.一种制造快闪存储器件的方法，该方法包括以下步骤：在半导体衬底的第一区域中形成浮动栅极图案，在所述浮动栅极图案中层叠隧道氧化物层和第一导电层，并且在半导体衬底的第二区域中形成隔离层；通过干蚀刻过程将隔离层蚀刻至预定厚度，由此在浮动栅极图案的侧壁上形成第一间隔物；和在整个表面上形成介电层、第二导电层和硬掩模层，使硬掩模层、第二导电层和介电层图案化以形成控制栅极，并且利用控制栅极作为掩模蚀刻浮动栅极图案，从而形成浮动栅极，其中当蚀刻浮动栅极图案以暴露半导体衬底时，由于一些隔离层被蚀刻而在半导体衬底的侧面上形成第二间隔物。