[发明专利]显示器件及其制造方法有效
申请号: | 200610149552.4 | 申请日: | 2006-11-16 |
公开(公告)号: | CN1967803A | 公开(公告)日: | 2007-05-23 |
发明(设计)人: | 藤川最史;细谷邦雄 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/522 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明揭示一种显示器件及其制造方法。一般希望在显示器件中将低电阻材料用于配线,但是到现在为止没有存在形成配线的有效方法。本发明的结构之一包括以下工序:形成第一导电膜;在第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂;在第一导电膜及抗蚀剂上形成第二导电膜;在去除抗蚀剂的同时去除形成在抗蚀剂上的第二导电膜;形成第三导电膜,使其覆盖形成在第一导电膜上的第二导电膜;选择性地蚀刻第一导电膜及第三导电膜;形成多个布线及电极。由此,由于可以在大型面板中形成用低电阻材料的布线,因此可以解决信号延迟等问题。 | ||
搜索关键词: | 显示 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示器件的制造方法,其特征在于,包括以下工序:形成第一导电膜;在所述第一导电膜上选择性地形成抗蚀剂;在所述第一导电膜及所述抗蚀剂上形成第二导电膜;通过去除所述抗蚀剂,去除形成在所述抗蚀剂上的所述第二导电膜;形成第三导电膜,使其覆盖形成在所述第一导电膜上的所述第二导电膜;以及选择性地蚀刻所述第一导电膜及所述第三导电膜,以形成配线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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