[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200610149433.9 | 申请日： | 2006-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101064345A | 公开（公告）日： | 2007-10-31 |
| 发明（设计）人： | 朴宰徹;朴永洙;车映官 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/41;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜晶体管(TFT)及其制造方法。该TFT包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；ILD(层间电介质)层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该ILD层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括：衬底；沟道，形成于该衬底上；源欧姆层和漏欧姆层，形成于该沟道的两端上；栅绝缘体，覆盖该源欧姆层和漏欧姆层以及该沟道；栅，形成于该栅绝缘体上；层间电介质层，覆盖该栅；源电极和漏电极，通过形成于该层间电介质层以及该栅绝缘体内的接触孔而接触该源欧姆层和漏欧姆层；以及钝化层，覆盖该源电极和漏电极。
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