[发明专利]镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器

摘要

本发明公开了一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，该探测器与传统甚长波量子阱红外探测器的区别在于它是由低掺杂的电极层和高掺杂的量子阱层构成。在深低温器件工作温度下，量子阱层掺杂的适度提高不会使整个器件的暗电流明显变化，此时量子阱器件电极层的掺杂浓度的降低，使整个器件暗电流和噪声显著下降；高掺杂的量子阱层使整个器件的光吸收系数显著增强；相比传统的镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，本发明的甚长波量子阱红外探测器的探测率得到显著提升。

主权项

1.一种镓砷/铝镓砷甚长波量子阱红外探测器，包括：GaAs衬底层(1)，在GaAs衬底层上通过分子束外延或金属有机化学汽相沉积依次逐层生长：n型掺杂的GaAs下电极(2)；50个周期的多量子阱层(3)；55-60nm的AlxGa1-xAs势垒层(4)；n型掺杂的GaAs上电极层(5)；其特征在于：所说的n型掺杂电极层的掺杂浓度范围在1.0-2.0×1017cm-3；所说的AlxGa1-xAs势垒层(4)，其中x＝0.14-0.15；所说的50个周期的多量子阱层(3)，每个周期包括1个55-60nm的AlxGa1-xAs势垒层，其中x＝0.14-0.15；1个6-7nm的GaAs量子阱层，其中量子阱层的掺杂浓度范围为1.0-2.0×1018cm-3。