[发明专利]镶嵌结构的制造方法有效
| 申请号： | 200610147803.5 | 申请日： | 2006-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101207067A | 公开（公告）日： | 2008-06-25 |
| 发明（设计）人： | 聂佳相;杨瑞鹏;康芸 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种镶嵌结构的制造方法，包括：提供一具有金属导线层的半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层，并在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述金属导线层表面；在所述开口底部和侧壁沉积第一金属层；去除所述开口底部的第一金属层，并去除所述开口底部的金属导线层表面的氧化物；在所述开口底部和侧壁沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第三金属层。该方法能够消除等离子体在金属导线层中产生耦合电流，减小或消除对栅氧的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 镶嵌 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种镶嵌结构的制造方法，包括：提供一具有金属导线层的半导体基底；在所述半导体基底上形成介质层，并在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述金属导线层表面；在所述开口底部和侧壁沉积第一金属层；去除所述开口底部的第一金属层和所述开口底部的金属导线层表面的氧化物；在所述开口底部和侧壁沉积第二金属层；在所述第二金属层上沉积第三金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200610147803.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：服务器机箱结构
- 下一篇：一种数字电视数据信息编辑的系统及其方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
