[发明专利]镶嵌结构的制造方法

权利要求书

1.一种镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一具有金属导线层的半导体基底；

在所述半导体基底上形成介质层，并在所述介质层中形成开口，所述开口底部露出所述金属导线层表面；

在所述开口底部和侧壁沉积第一金属层；

去除所述开口底部的第一金属层和所述开口底部的金属导线层表面的氧化物；

在所述开口底部和侧壁沉积第二金属层；

在所述第二金属层上沉积第三金属层。

2.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述介质层为氧化硅、氮化硅、碳化硅、磷硅玻璃、硼硅玻璃、硼磷硅玻璃、氟硅玻璃、黑钻石中的一种或其组合。

3.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：在所述介质层中形成开口的步骤如下：

在所述介质层上旋涂光刻胶层，并图形化形成开口图案；

通过刻蚀将所述开口图案转移倒所述介质层中，形成开口；

去除所述光刻胶层。

4.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层为钽、氮化钽中的一种或组合。

5.如权利要求4所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述第一金属层和第二金属层的沉积方法为物理气相沉积、化学气相沉积、原子层沉积、电化学沉积中的一种。

6.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：去除所述开口底部的第一金属层和所述开口底部的金属导线层表面的氧化物的方法为干法等离子体刻蚀。

7.如权利要求1所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：在所述第二金属层上沉积第三金属层的方法为电镀、化学气相沉积中的一种。

8.如权利要求7所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述第三金属层为铜。

9.一种镶嵌结构的制造方法，包括：

提供一具有金属导线层的半导体基底，在所述半导体基底上有形成介质层，并在所述介质层中形成有底部露出所述金属导线层表面的开口；

在所述开口底部和侧壁沉积第一金属层；

去除所述开口底部的第一金属层和所述开口底部的金属导线层表面的氧化物；

在所述开口底部和侧壁沉积第二金属层；

在所述第二金属层上沉积第三金属层。

10.如权利要求9所述的镶嵌结构的制造方法，其特征在于：所述等离子体为氩气等离子体。

11.一种半导体器件，包括：

半导体基底；所述半导体基底具有金属导线层；

形成于所述半导体基底上的介质层；

在所述介质层中具有开口，所述开口的底部露出所述金属导线层表面；

其特征在于：所述介质层、所述开口侧壁和底部覆盖有金属层，所述金属层用于在等离子体刻蚀时扩散所述等离子体刻蚀气体中的聚集电荷。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于：所述金属层为钽、氮化钽中的一种或组合。