[发明专利]量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法无效
| 申请号： | 200610147220.2 | 申请日： | 2006-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101000874A | 公开（公告）日： | 2007-07-18 |
| 发明（设计）人： | 沈文忠;潘葳 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;张宗明 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及的是一种半导体材料技术领域的量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法。包括如下步骤：①用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂p型单晶硅衬底上生长p型单型硅薄膜，接着在其上生长n型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。本发明可实现从单稳态到双稳态的转变，并提高双稳态双峰间距，降低阈值电压，提高了逻辑器件的噪声容限，能够提高电路的稳定工作能力。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 逻辑 器件 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种量子逻辑器件的隧穿二极管制备方法，其特征在于，包括如下步骤：①确定硅量子点共振隧穿二极管为单晶硅/硅量子点pn型的反型异质结结构，用气相外延方法生长单晶硅薄膜和用等离子增强化学气相沉积方法生长硅量子点薄膜；②利用半导体量子输运方法对硅量子点共振隧穿二极管器件的隧穿电流特性进行模拟，在气相外延和等离子增强化学气相沉积生长过程中分别掺入乙硼和磷烷，通过改变乙硼和磷烷掺杂比例来控制硅量子点共振隧穿二极管两侧掺杂浓度，通过控制掺杂浓度下的共振隧穿电流特性，进一步调节该二极管的隧穿电流折叠特性；③用气相外延装置先在重掺杂p型单晶硅衬底上生长p型单型硅薄膜，接着在其上生长n型硅量子点薄膜，得到硅量子点共振隧穿二极管器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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