[发明专利]图案制造方法无效
| 申请号： | 200610146781.0 | 申请日： | 2006-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN101101956A | 公开（公告）日： | 2008-01-09 |
| 发明（设计）人： | 小岛隆 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L21/027;H01L21/00;G11B5/39;G01R33/09 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄纶伟;迟军 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种图案制造方法。该图案制造方法可高精度地控制将读取端子形成为预定图案的光刻胶掩模的形状，使得提高了读取端子的形成精度，并提高了磁头的成品率。该图案制造方法包括如下步骤：在基板上形成要构图的层；在所述要构图的层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层，该第二掩模层在干法刻蚀工艺期间具有比所述第一掩模层低的刻蚀速率；对所述第二掩模层进行曝光和显影，以将所述第二掩模层形成为预定形状；以及，通过干法刻蚀去除所述第一掩模层的从所述第二掩模层露出的露出部分，并且从所述第一掩模层的侧面干法刻蚀所述第一掩模层的位于所述第二掩模层下面的部分，以在所述第一掩模层中形成比所述第二掩模层窄的柱部，从而形成带悬突部的掩模。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种图案制造方法，该图案制造方法包括如下步骤：在基板上形成要构图的层；在所述要构图的层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层，该第二掩模层在干法刻蚀工艺期间具有比所述第一掩模层低的刻蚀速率；对所述第二掩模层进行曝光和显影，以将所述第二掩模层形成为预定形状；以及通过干法刻蚀去除所述第一掩模层的从所述第二掩模层露出的露出部分，并且从所述第一掩模层的侧面干法刻蚀所述第一掩模层的位于所述第二掩模层下面的部分，以在所述第一掩模层中形成比所述第二掩模层窄的柱部，从而形成带悬突部的掩模。
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