[发明专利]图案制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种由形成在基板上的层制造具有预定形状的图案的方法，更详细地涉及一种制造具有诸如用于磁头的读取头中的磁阻效应元件的形状的预定形状的图案的方法。

背景技术

如图2A所示，在形成磁阻效应元件的工艺期间，在工件5的表面上形成了将成为读取元件的元件层10之后，在元件层10的表面上形成光刻胶图案6，在该光刻胶图案6的侧面上形成有悬突部6a。在通过离子铣削(ion milling)将元件层10构图为预定图案(宽度)以形成读取端子10a时，将光刻胶图案6用作掩模。

悬突部6a设置在光刻胶图案6的侧面上，用于限制离子铣削期间离子照射的区域以使读取端子10a的侧面形成为要求的倾斜面(参见图2B)，并使得在剥离工艺期间容易地将附着于光刻胶图案6的表面的任何外物与光刻胶图案6一起去除。

如图2A和2B所示，形成带悬突部6a的光刻胶图案6的一种已知方法是形成具有不同刻蚀速率的两层光刻胶材料，并且在对该光刻胶进行曝光和显影时利用刻蚀速率差来形成悬突部。即，如果下层上的光刻胶材料的刻蚀速率高于(即，快于)上层上的光刻胶材料的刻蚀速率，则当在将光刻胶曝光后对其进行刻蚀时，下层上的光刻胶材料将要比上层上的光刻胶材料刻蚀得快，从而形成带悬突部6a的光刻胶图案6。

专利文献1

日本专利公报特开2003-92442号。

发明内容

然而，使用在湿法刻蚀光刻胶材料时通过利用刻蚀速率差来形成类似于图2A和2B所示的光刻胶图案的方法，难以精确地控制图案。随着记录介质的记录密度增大，并且随着读取端子10a逐渐变窄，该方法将不再适用。例如，在用于对读取端子进行构图的光刻胶图案6中，图案的主部仅约120nm宽，并且由于支撑这种主部的柱部极窄，所以存在如下问题：如果柱部被湿法刻蚀过度刻蚀了，则所形成的光刻胶图案6会倒塌。

构想了本发明来解决上述问题，本发明的目的是提供一种图案制造方法，该图案制造方法可在形成精确图案时，例如在以预定图案形成磁头的读取端子时，高精度地形成掩模，并且即使在形成诸如读取端子的极精细图案时也可形成适当图案。

为了实现所述目的，根据本发明的一种图案制造方法包括如下步骤：在基板上形成要构图的层；在所述要构图的层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层，该第二掩模层在干法刻蚀工艺期间具有比所述第一掩模层低的刻蚀速率；对所述第二掩模层进行曝光和显影，以将所述第二掩模层形成为预定形状；以及，通过干法刻蚀去除所述第一掩模层的从所述第二掩模层露出的露出部分，并且从所述第一掩模层的侧面干法刻蚀所述第一掩模层的位于所述第二掩模层下面的部分，以在所述第一掩模层中形成比所述第二掩模层窄的柱部，从而形成带悬突部的掩模。

另外，通过以树脂形成所述第一掩模层，并以包括硅在内的光刻胶材料形成所述第二掩模层，可以获得所述第一掩模层与所述第二掩模层之间的明显刻蚀速率差，并可以可靠地形成带悬突部的掩模。

另外，通过形成保护层作为要构图的层的最上层，可以抑制在干法刻蚀工艺期间对柱部的进一步刻蚀，从而便于在干法刻蚀工艺期间的操作，并可以形成无形状波动的掩模，所述保护层是由抑制在于法刻蚀工艺期间对所述第一掩模层制成的所述柱部进行刻蚀的材料构成。

根据本发明的另一种图案制造方法包括如下步骤：在基板上形成要构图的层，该要构图的层的表面是由钌制成；在所述要构图的层上形成第一掩模层；在所述第一掩模层上形成第二掩模层，该第二掩模层具有比所述第一掩模层低的刻蚀速率；对所述第二掩模层进行曝光和显影，以将所述第二掩模层形成为预定形状；以及，通过刻蚀去除所述第一掩模层的从所述第二掩模层露出的露出部分，并且从所述第一掩模层的侧面刻蚀所述第一掩模层的位于所述第二掩模层下面的部分，以在所述第一掩模层中形成比所述第二掩模层窄的柱部，从而形成带悬突部的掩模。

利用根据本发明的图案制造方法，与常规湿法刻蚀相比，通过提供在干法刻蚀工艺期间刻蚀速率不同的第一掩模层和第二掩模层，并利用干法刻蚀形成掩模，可以更高精度地形成掩模，用以抑制掩模的形状波动且高精度地形成图案，并用以提高产品的成品率。

附图说明

本发明的以上及其他目的和优点在本领域技术人员阅读并理解参照附图的以下详细描述时将变得明了。

在附图中：

图1A至1E是用于说明按照根据本发明的图案制造方法的磁阻效应元件的制造步骤的图；以及

图2A和2B是用于说明通过在元件层上形成光刻胶图案来形成读取端子的方法的图。

具体实施方式