[发明专利]向下类型MEMS开关及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610146735.0 申请日: 2006-11-16
公开(公告)号: CN101026053A 公开(公告)日: 2007-08-29
发明(设计)人: 权相旭;金钟硕;宋寅相;李相勋;金东均;崔晶晥;洪荣泽;金载兴 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01H57/00 分类号: H01H57/00;H01H49/00;B81C1/00;B81B5/00
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 代理人: 韩明星;刘奕晴
地址: 韩国京畿道*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供一种向下类型微电子机械系统(MEMS)开关以及制造其的方法。向下类型MEMS开关包括:形成在基片中的第一和第二空腔;形成在第一和第二空腔的上部分的第一和第二激励器;形成在基片的上表面上并且不与第一和第二空腔重叠的第一和第二固定线;和与第一固定线和第二固定线相隔预定距离,但是当驱动第一激励器和第二激励器时能够接触第一固定线和第二固定线的接触垫。在制造RF信号线之后制造通过压电被向下激励的接触垫,从而该接触垫与RF信号线共享一层。
搜索关键词: 向下 类型 mems 开关 及其 制造 方法
【主权项】:
1、一种制造向下类型微电子机械系统(MEMS)开关的方法,包括:(a)在基片中形成第一空腔和第二空腔;(b)在第一空腔的上部分形成第一激励器,并在第二空腔的上部分形成第二激励器;(c)在基片的上表面上形成第一固定线和第二固定线,使得它们不与第一空腔和第二空腔重叠;和(d)形成与第一固定线和第二固定线的表面相隔预定距离的接触垫,而当第一激励器和第二激励器被驱动时,接触垫可与第一固定线和第二固定线接触。
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