[发明专利]光伏产业用硅制备方法无效
申请号: | 200610146233.8 | 申请日: | 2006-12-15 |
公开(公告)号: | CN101007633A | 公开(公告)日: | 2007-08-01 |
发明(设计)人: | 佟新廷 | 申请(专利权)人: | 佟新廷;兖州市大成化工有限公司 |
主分类号: | C01B33/021 | 分类号: | C01B33/021;C01B33/037 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250031山东省济南市天*** | 国省代码: | 山东;37 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种光伏产业用硅的生产方法:A将金属硅破碎后,用工业盐酸进行酸洗处理,除去金属硅粉中的铁、钙等其他杂质;B将金属硅粉放入等离子炉中精炼,同时将含有氩气和氯化氢的混合气体吹入反应室;C将所得硅熔体冷却后放入中频感应炉中缓慢升温,并分别吹入氯气和氧气;D在真空负压环境下将所得硅熔体在结晶器中缓慢降温,自下而上定向凝固;E待硅熔体完全凝固后,切去上端的杂质聚集区;F用蒸馏水冲洗所得硅熔体即得到光伏产业用硅。通过上述生产工艺制得的光伏产业用硅,成本低,能耗少,可用于大规模生产,其纯度可达到5N-8N。 | ||
搜索关键词: | 产业 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.光伏产业用硅制备方法,包括如下步骤:A将金属硅破碎为金属硅粉颗粒,用工业盐酸进行酸洗处理,反应0.5-1小时,除去金属硅粉中的铁、钙等其他杂质或将其金属杂质氯化为氯化物,然后将其烘干;B将上述步骤所得金属硅粉放入等离子炉反应室中,开启电源,同时将含有氩气和氯化氢的混合气体吹入反应室,精炼时间70-90分钟;C将前一步骤所得硅熔体冷却后放入中频感应炉反应室中,缓慢将温度升至1880-1980℃之间,并恒温1-1.5小时,在其升温过程中,分别吹入氯气和氧气或二者的混合气体;D在真空负压环境下将前一步骤所得硅熔体在结晶器中缓慢降温,自下而上定向凝固;E待前一步骤的硅熔体完全凝固后,切去上端四分之一的杂质聚集区;F用蒸馏水冲洗前一步骤所得硅熔体即得到光伏产业用硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佟新廷;兖州市大成化工有限公司,未经佟新廷;兖州市大成化工有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200610146233.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。