[发明专利]光伏产业用硅制备方法无效

专利信息
申请号: 200610146233.8 申请日: 2006-12-15
公开(公告)号: CN101007633A 公开(公告)日: 2007-08-01
发明(设计)人: 佟新廷 申请(专利权)人: 佟新廷;兖州市大成化工有限公司
主分类号: C01B33/021 分类号: C01B33/021;C01B33/037
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 250031山东省济南市天*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明提供一种光伏产业用硅的生产方法:A将金属硅破碎后,用工业盐酸进行酸洗处理,除去金属硅粉中的铁、钙等其他杂质;B将金属硅粉放入等离子炉中精炼,同时将含有氩气和氯化氢的混合气体吹入反应室;C将所得硅熔体冷却后放入中频感应炉中缓慢升温,并分别吹入氯气和氧气;D在真空负压环境下将所得硅熔体在结晶器中缓慢降温,自下而上定向凝固;E待硅熔体完全凝固后,切去上端的杂质聚集区;F用蒸馏水冲洗所得硅熔体即得到光伏产业用硅。通过上述生产工艺制得的光伏产业用硅,成本低,能耗少,可用于大规模生产,其纯度可达到5N-8N。
搜索关键词: 产业 制备 方法
【主权项】:
1.光伏产业用硅制备方法,包括如下步骤:A将金属硅破碎为金属硅粉颗粒,用工业盐酸进行酸洗处理,反应0.5-1小时,除去金属硅粉中的铁、钙等其他杂质或将其金属杂质氯化为氯化物,然后将其烘干;B将上述步骤所得金属硅粉放入等离子炉反应室中,开启电源,同时将含有氩气和氯化氢的混合气体吹入反应室,精炼时间70-90分钟;C将前一步骤所得硅熔体冷却后放入中频感应炉反应室中,缓慢将温度升至1880-1980℃之间,并恒温1-1.5小时,在其升温过程中,分别吹入氯气和氧气或二者的混合气体;D在真空负压环境下将前一步骤所得硅熔体在结晶器中缓慢降温,自下而上定向凝固;E待前一步骤的硅熔体完全凝固后,切去上端四分之一的杂质聚集区;F用蒸馏水冲洗前一步骤所得硅熔体即得到光伏产业用硅。
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