[发明专利]显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200610144800.6 | 申请日： | 2006-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN1967813A | 公开（公告）日： | 2007-05-23 |
| 发明（设计）人： | 吴俊鹤;洪雯杓;金保成;李容旭 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L51/40;H01L27/32;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种显示装置及制造方法，其中薄膜晶体管的特性可以被提高。所述显示装置的制造方法包括：在绝缘衬底上形成包括栅电极的多条栅布线；形成电极层，该电极层包括彼此分开的源电极和漏电极以在夹置于它们之间的栅电极上界定沟道区；在电极层上形成具有第一开口的第一阻挡壁，第一开口用于暴露沟道区、源电极的一部分和漏电极的一部分，第一阻挡壁具有表面；形成屏蔽膜来覆盖第一开口内的沟道区；处理第一阻挡壁的所述表面；去除屏蔽膜；在第一开口内形成有机半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种显示装置的制造方法，包括：在绝缘衬底上形成包括栅电极的多条栅布线；形成电极层，所述电极层包括彼此分开的源电极和漏电极以在夹置于它们之间的栅电极上界定沟道区；在所述电极层上形成具有第一开口的第一阻挡壁，所述第一开口用于暴露所述沟道区、源电极的一部分和漏电极的一部分，所述第一阻挡壁具有一表面；形成屏蔽膜来覆盖所述第一开口内的沟道区；处理所述第一阻挡壁的所述表面；去除所述屏蔽膜；和在所述第一开口内形成有机半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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