[发明专利]声表面波传感器芯片及其制作方法无效
| 申请号： | 200610144328.6 | 申请日： | 2006-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN101192818A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李继良;黄歆;王宪刚;杨思川 | 申请（专利权）人： | 北京中科飞鸿科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/25 | 分类号： | H03H9/25;H03H3/08;H03H9/145 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇;郭宗胜 |
| 地址： | 100095北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种声表面波传感器芯片及其制作方法，包括压电基片，压电基片上设有Au层，芯片包括叉指换能器和成膜区，叉指换能器部位上设有成膜掩蔽层，成膜区的Au层上设有敏感膜，敏感膜为对特定气体具有吸附和解吸附性质的聚合物膜。芯片制作时，首先在非成膜区覆盖成膜掩蔽层，在成膜区形成化学敏感膜之前，利用成膜掩蔽层对非成膜区进行掩蔽，能够很好的解决敏感膜形成过程中的掩蔽不严、一致性差、污染芯片等问题，工艺过程简单、效率高、稳定可靠，对芯片电性能影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 表面波 传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种声表面波传感器芯片，包括压电基片，其特征在于，所述的压电基片上设有金Au层；所述芯片包括叉指换能器和成膜区；所述的叉指换能器部位的Au层上设有成膜掩蔽层；所述成膜区的Au层上设有敏感膜，所述的敏感膜为对特定气体具有吸附和解吸附性质的聚合物膜。
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